Silicon Carbide atau Oksida terikat SiC
Oksida Berikat Silicon Carbide (OSiC), juga disebut Silicon Carbide atau Aluminium Oxide karena lapisan aluminiumnya, Silicon Carbide atau Aluminium Oxide digunakan untuk menembakkan barang pecah belah umum dan produk keramik (suhu di bawah 1.450 derajat), dibuat oleh SiC yang diikat oleh Silicon Oxide ( Si2O3), dan secara teknis disebut "Oxide Bonded Silicon Carbide".
Silikon Karbida atau Aluminium Oksida pengantar
Oksida Berikat Silicon Carbide (OSiC), juga disebut Silicon Carbide atau Aluminium Oxide karena lapisan aluminiumnya, Silicon Carbide atau Aluminium Oxide digunakan untuk menembakkan barang pecah belah umum dan produk keramik (suhu di bawah 1.450 derajat), dibuat oleh SiC yang diikat oleh Silicon Oxide ( Si2O3), dan secara teknis disebut "Oxide Bonded Silicon Carbide".
Pelat Silicon Carbide atau Aluminium Oxide ini memiliki konduktivitas termal yang sangat tinggi (hampir 10 kali lebih tinggi dari refraktori mullite) dan tingkat radiasi yang tinggi dari inframerah panjang gelombang panjang yang membawa efisiensi panas yang sangat tinggi terhadap produk.
Dalam hal kinerja biaya untuk menembakkan barang pecah belah umum dan produk keramik, Silicon Carbide atau Aluminium Oxide Plate ini adalah refraktori yang paling berharga dan cocok.
Analisis kualitas tipikal
BARANG | SATUAN | INDEKS | |
Komposisi Kimia SIC: SIC Lebih besar dari atau sama dengan | persen | 90 | |
properti fisika | Maks. Suhu Layanan | derajat | 1550 |
Refractoriness Lebih besar dari atau sama dengan | SK | 39 | |
Refractoriness di bawah beban (2kg/cm2) Lebih besar dari atau sama dengan | derajat | 1750 | |
Modulus of Rupture pada suhu kamar. Lebih dari atau sama dengan | Kg/cm2 | 500 | |
Modulus Pecah pada 1400 derajat Lebih besar dari atau sama dengan | Kg/cm2 | 550 | |
Kuat tekan Lebih besar dari atau sama dengan | Kg/cm2 | 1300 | |
Ekspansi Termal pada 1000 derajat | persen | 0.42-0.48 | |
Porositas Semu | persen | 7-8 | |
Kepadatan Massal | g/cm3 | 2.70-2.75 | |
Konduktivitas Termal pada 1000 derajat | Kkal/m.hr. derajat | 13.5-14.5 | |
Adapun karakteristik fungsional di atas, mereka dapat dirancang atas permintaan pelanggan.
Fitur Silicon Carbide atau Aluminium Oxide
1. Stabilitas termal yang sangat baik dan ketahanan distorsi pada suhu tinggi.
2. Kekuatan mekanik yang tinggi pada suhu tinggi.
3. Ketahanan kejut termal yang sangat baik.
4. konduktivitas termal yang tinggi.
5. Ketahanan oksidasi yang sangat baik.
6. Ketahanan korosi yang sangat baik pada suhu tinggi.
7. Ketahanan korosi yang sangat baik terhadap bahan kimia.
8. Ketahanan abrasi yang tinggi.
Keuntungan kita
1. mudah dipasang
2. Sistem manajemen mutu yang ketat
3. peralatan Unggul
4. layanan profesional
5. Produk berkualitas tinggi
6. Berbagai jenis untuk seleksi
7. harga yang kompetitif
8. pengiriman yang cepat
Tag populer: Silicon Carbide atau Oxide bonded SiC, Cina, produsen, pemasok, pabrik, harga, Papan Cekungan SiC Premium, Papan Basin SIC yang tahan lama, Papan Cekungan SiC yang tahan korosi, Papan baskum sic yang tahan panas, Papan SIC Basin yang tahan memakai, Suhu Stabil SIC Basin Board
Sepasang
TidakBerikutnya
Papan Silicon CarbideAnda Mungkin Juga Menyukai
Kirim permintaan