Kinerja yang sangat baik dari keramik SiC terkait erat dengan strukturnya yang unik. SiC adalah senyawa dengan ikatan kovalen yang kuat. Ionisitas ikatan Si-C dalam SiC hanya sekitar 12%. Oleh karena itu, SiC memiliki kekuatan tinggi, modulus elastis besar, dan ketahanan aus yang sangat baik. SiC murni tidak akan diserang oleh larutan asam seperti HCl, HNO3, H2SO4 dan HF, dan larutan alkali seperti NaOH. Oksidasi cenderung terjadi ketika dipanaskan di udara, tetapi SiO2 terbentuk di permukaan selama oksidasi menghambat difusi oksigen lebih lanjut, sehingga laju oksidasi tidak tinggi. Dalam hal sifat listrik, SiC bersifat semi konduktif, dan pengenalan sejumlah kecil kotoran menunjukkan konduktivitas yang baik. Selain itu, SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat baik. Itu
SiC memiliki dua bentuk kristal α dan β. Struktur kristal β-SiC adalah kubik, dan Si dan C masing-masing merupakan kisi kubik berpusat muka. Ada lebih dari 100 polytypes seperti 4H, 15R, dan 6H di α-SiC, di antaranya 6H polytype adalah industri yang berlaku. Yang paling umum. Ada hubungan stabilitas termal tertentu antara berbagai jenis SiC. Pada suhu di bawah 1600 ° C, SiC ada sebagai β-SiC. Di atas 1600 ° C, β-SiC perlahan berubah menjadi berbagai polytypes α-SiC. 4H-SiC mudah dihasilkan pada sekitar 2000 ° C; 15R dan 6H polytypes diperlukan untuk dihasilkan pada suhu lebih tinggi dari 2100 ° C. Untuk 6H-SiC, bahkan pada suhu melebihi 2200 ° C, mereka sangat stabil. Perbedaan energi bebas antara berbagai polytypes di SiC sangat kecil, sehingga solusi padat dari jejak kotoran juga dapat menyebabkan perubahan dalam stabilitas termal dari polytypes.
